霍爾傳感器KHW-08B直徑M12X1J電壓24V

霍爾傳感器KHW-08B直徑M12X1J電壓24V 檢測距離mm 檢測方式 電源電壓VC 負載電流mA 輸出類型 響應頻率KHz 外形尺寸mm

霍爾傳感器KHW-08B直徑M12X1J電壓24VKHP-01B 8 磁鐵 10-30 200 PNP NO 50 M8*33 KHP-02B 8 磁鐵 10-30 200 PNP自鎖 50 M8*33 KHP-03A 8 磁鐵 10-30 20 NPN NO 50 M8*33 KHP-04A 8 磁鐵 10-30 20 NPN自鎖 50 M8*33 KHP-06B 8 磁鐵 10-30 200 NPN常閉 50 M8*33

KHO-01B 8 磁鐵 4-24 200 PNP NO 50 M8*33 KHO-02B 8 磁鐵 4-24 200 PNP自鎖 50 M8*33 KHO-03A 8 磁鐵 4-24 20 NPN NO 50 M8*33 KHO-04A 8 磁鐵 4-24 20 NPN自鎖 50 M8*33 KHO-06B 8 磁鐵 4-24 200 NPN常閉 50 M8*33 KHM-03A 8 磁鐵 4-24 20 NPN常開 50 M6*25/M8*15 KHM-04A 8 磁鐵 4-24 20 NPN自鎖 50 M6*25/M8*15 KHN-03A 8 磁鐵 10-30 20 NPN常開 50 M6*25/M8*15 KHN-04A 8 磁鐵 10-30 20 NPN自鎖 50 M6*25/M8*15 KHL-01B-C 8 磁鐵 4-15 200-400 PNP NO 50 M12*42 KHL-02B-C 8 磁鐵 4-15 200-400 PNP自鎖 50 M12*42 KHL-03B-C 8 磁鐵 4-15 200-400 NPN NO 50 M12*42 KHL-04B-C 8 磁鐵 4-15 200-400 NPN 自鎖 50 M12*42

原理編輯由霍爾效應的原理知，霍爾電勢的大小取決于：Rh為霍爾常數，它與半導體材質有關；I為霍爾元件的偏置電流；B為磁場強度；d為半導體材料的厚度。對于一個給定的霍爾器件，當偏置電流 I 固定時，UH將*取決于被測的磁場強度B。霍爾效應霍爾效應一個霍爾元件一般有四個引出端子，其中兩根是霍爾元件的偏置電流 I 的輸入端，另兩根是霍爾電壓的輸出端。如果兩輸出端構成外回路，就會產生霍爾電流。一般地說，偏置電流的設定通常由外部的基準電壓源給出；若精度要求高，則基準電壓源均用恒流源取代。為了達到高的靈敏度，有的霍爾元件的傳感面上裝有高導磁系數的鍍膜合金；這類傳感器的霍爾電勢較大，但在0.05T左右出現飽和，僅適用在低量限、小量程下使用。在半導體薄片兩端通以控制電流I，并在薄片的垂直方向施加磁感應強度為B的勻強磁場，則在垂直于電流和磁場的方向上，將產生電勢差為UH的霍爾電壓。KHL-05B-C 8 磁鐵 4-15 200-400 PNP NC 50 M12*42 KHL-06B-C 8 磁鐵 4-15 200-400 NPN NC 50 M12*42 KHL-07B-C 8 磁鐵 4-15 200-400 PNP初開自鎖 50 M12*42 KHL-08B-C 8 磁鐵 4-15 200-400 NPN初開自鎖 50 M12*42 KHL-09B-C 8 磁鐵 4-15 20-200 兩線常開 50 M12*42

作原理編輯磁場中有一個霍爾半導體片，恒定電流I從A到B通過該片。在洛侖茲力的作用下，I的電子流在通過霍爾半導體時向一側偏移，使該片在CD方向上產生電位差，這就是所謂的霍爾電壓。霍爾電壓隨磁場強度的變化而變化，磁場越強，電壓越高，磁場越弱，電壓越低，霍爾電壓值很小，通常只有幾個毫伏，但經集成電路中的放大器放大，就能使該電壓放大到足以輸出較強的信號。若使霍爾集成電路起傳感作用，需要用機械的方法來改變磁感應強度。下圖1所示的方法是用一個轉動的葉輪作為控制磁通量的開關，當葉輪葉片處于磁鐵和霍爾集成電路之間的氣隙中時，磁場偏離集成片，霍爾電壓消失。這樣，霍爾集成電路的輸出電壓的變化，就能表示出葉輪驅動軸的某一位置，利用這一工作原理，可將霍爾集成電路片用作用點火正時傳感器。霍爾效應傳感器屬于被動型傳感器，它要有外加電源才能工作，這一特點使它能檢測轉速低的運轉情況。霍爾效應傳感器KHW-01B-C 8 磁鐵 14-30 200-400 PNP NO 50 M12*42 KHW-02B-C 8 磁鐵 14-30 200-400 PNP自鎖 50 M12*42 KHW-03B-C 8 磁鐵 14-30 200-400 NPN NO 50 M12*42 KHW-04B-C 8 磁鐵 14-30 200-400 NPN 自鎖